作为目前实用的电源类型，可控硅有许多应用优势和特点。采用的串联谐振，即电压型谐振频率跟踪。因此，效率更高，功率因数更高。因此节电效果明显，加热每吨棒材耗电量为341度。

可控硅电源前级不可控全桥整流，不会造成整流段波形变形，关断角无削波现象，采用大电容滤波，谐波小号对电网干扰小。

可控硅频率更高的优点：

随着我国工业化进程的快速发展，感应加热领域也在快速发展。由于环保要求和煤价上涨，用焦煤取暖不仅不符合环保要求，而且从价格和经济性上来说也是很不经济的。另一方面，目前工业加热仍大量使用以晶闸管为主要器件的KGBS中频加热设备。低功率因数消耗大量电能。随着金融危机的蔓延，节能降耗成为中小企业迫在眉睫的问题。.因此我们利用近20年的感应加热经验，成功开发出JZ（IGBT）系列节能中频。

可控硅电源特点：

1、生产操作简单，进出料灵活，自动化程度高，可实现在线生产；

2、工件加热速度快，氧化脱碳少，效率高，锻件质量好；

3、工件加热长度、速度、温度可准确控制；

4、工件受热均匀，芯部与表面温差小，控制精度高；

5、可根据客户要求精心制作传感器。

6、节能优化设计，能耗低、效率高，成本低于燃煤生产；

7、符合环保要求，污染小，也减轻了工人的劳动强度。

 可控硅击穿是可控硅晶闸管使用中容易出现的问题，可控硅击穿到底是什么原因造成的，如何防范和预防，以下是正高电气有关可控硅击穿的相关分析。

1、过压击穿：

过电压击穿是晶闸管击穿的主要原因之一。承受过电压的能力几乎是永恒的。即使过电压在几毫秒内，也会被击穿。因此，在实际应用电路中，要在两端接入RC吸收电路，以避免各种不规则的干扰脉冲引起瞬时过电压。如果经常击穿，请检查吸收电路的元器件是否烧毁或失效。

2、过流过热故障：

其实过流击穿和过热击穿是一回事。是指电流通过晶闸管芯片时，芯片内部产生热效应，使芯片温度升高。当芯片温度达到175℃时，芯片就会失效，无法恢复。在正常使用条件下，只要工作电流不超过晶闸管的额定电流，就不会发生这种热击穿，因为原理是温度升高引起的，而温度升高的过程就是它需要一定的时间，所以短时间内过流（几百毫秒到几秒）一般不会击穿。