双向可控硅的特点及应用是什么？下面我们大家一起来分析一下。

　　双向可控硅可以看作是一对反向并联的普通可控硅的集成，其工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅有两个主电极T1和T2， 一个门极G， 门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向可控硅在1、3象限有对称的伏安特性。双向可控硅门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通，因此有四种触发方式。双向可控硅应用为正常使用双向可控硅，需定量掌握其主要参数，对双向可控硅进行适当选用并采取相应措施以达到各参数的要求。

　　耐压等级的选择：通常将VDRM(关态重复峰值电压)和VR  R  M(反向重复峰值电压)中较小的一个值标注为器件的额定电压。选用时，额定电压应为正常工作峰值电压的2~3倍，作为允许的操作过电压裕度。

　　电流的确定：由于双向可控硅通常用于交流电路中，其额定电流值用有效值而不是平均值来表示。由于可控硅的过载能力小于一般的电磁器件，所以一般家用电器中使用的可控硅的电流值是实际工作电流值的2~3倍。同时，可控硅在关态重复峰值电压VD  R  M和反向重复峰值电压V  R  R  M下的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。

　　通态(峰值)电压VT  M的选择：它是可控硅以规定的倍数额定电流开通时的瞬态峰值压降。为减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VT  M小的可控硅。

　　保持电流：IH是保持可控硅导通所需的小主电流，它与结温有关，结温越高，IH越小。

　　电压上升率电阻：dt是指关断状态下电压的上升斜率，是防止误触发的关键参数，如果该值超过限值，可控硅可能被误导。由于SCR的制造工艺，A2和g之间会有寄生电容。

　　双向可控硅的伏安特性是什么？下面我们来了解一下。

　　1.反向特性。当栅极打开且反向电压施加于阳极时，J2结正向偏置，但J1、J3结反偏，此时只有很小的反向饱和电流可以流过，当电压进一步增加到J1结的雪崩击穿电压时，接差J3结也击穿，电流迅速增加，特性开始弯曲。

　　2.正向特性。当控制电极开路并且直流电压施加到阳极时J1、J3结正偏，但J2结反偏，这类似于普通PN结的反向特性，只有很小的电流可以流过，称为正向阻断状态，当电压增加时，特性曲线弯曲，弯曲处的UBO称为正向翻转电压。当电压上升到J2结的雪崩击穿电压时，J2结发生雪崩倍增效应，结的电压升高，进入N1区的电子与通过J1结从P1区注入N1区的空穴复合。同样，进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉，这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降，出现所谓负阻特性。这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状态---通态，此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似。