单向可控硅特征是什么？

晶体管是P1N1P2N2的四层三端组件。有三个PN结。分析原理的时候，可以把它看成一个PNP管和一个NPN管。它的同辈，那么单向可控硅特征是什么？

单向可控硅特征是什么？

1.单向可控硅甲状腺手机是以硅单晶为基本材料的四镇器件P1N1P2N2。它成立于1957年。由于其特性与真空门相似，国际上通常称之为硅晶体门、晶体管。因为晶体管一开始用于可控整流，所以也叫晶闸管整流元件，简称晶体管的SCR。可控硅是一种大功率半导体器件，它能控制较大的电流和功率，用来进行电机调速、电镀、电解、充电、励磁、恒温、调压、稳压、无触点开关、变频其他人的角色。

2.当阳极A加正电压时，BG1和BG2管被放大。此时，如果从控制极G输入一个正的触发信号，BG2有一个基流IB2流。BG2放大后，其集电极电流IC2=2IB2。因为BG2剧集直接连接到BG1的底座，所以IB1=IC2。此时，电流IC2被BG1放大，因此BG1的集电极电流IC1=1IB1=12IB2。这个电流流回BG2的基极形成正反馈增加IB2。作为反馈循环的结果，两个管的电流增加，并且晶体管可以饱和。

3.反向特性当控制极点时，阳极加上反向电压，J2为正，但J1和J2为负。此时只能流过很小的反向饱和电流。当电压进一步增加到J1结的雪崩击穿时，过渡OY3带结也被击穿，电流迅速增加。如本段所示，弯管的电压URO称为“反向转折电压”。此时，硅可以反转。由于BG1和BG2的正反馈作用，一旦门电路开启，即使极值G的控制电流消失，该晶体管仍能维持功能，因此这种晶体管是不可抗拒的。

4.积极的特征当控制打开时，阳极正电压，J1和OY3带为正，但J2反向，类似于普通PN结的反向特性。电流，这叫正阻断状态。当电压增加时，图3的特性已经弯曲。如果显示特征OA部分，弯曲区域称为UBO，即：正向翻转电压当电压增加到J2雪泊亚击穿后，J2结中出现了雪崩增加效应，结中产生了大量的电子和空穴。

5.单向可控硅电子公司在N1成立，并进入P2地区。进入N1区域的电子通过P1区域的J1区域与N1区域的注射穴位复合。进入P2地区的电子器件和空腔不能再结合。这样，N1地区将聚集电子产品。在P2地区，会有空洞的穴位堆积。因此，P2地区的潜力增加了。它变得积极。只要电流稍有增加，电压就迅速下降，出现了所谓的负阻。3.触发分流当正电压加到控制极G时，JBOY3带偏置。当P2地区的穴位进入N2地区，N2地区的电子进入P2地区，形成触发电流IGT。在晶体管中反馈效应的基础上，加入IGT效应，使晶体管提前，产生了左侧的电压OA段。IGT越大，特征出现得越快。

6.此时，J1、J2和JBOY3带的三个节点处于正偏置，晶体管在状态下进入状态。此时，其特征类似于正常的PN正特征。为了驱动晶体管，一个是在其阳极A和阴极K之间加一个正电压，另一个是在其控制极G和阴极K之间输入一个正的触摸电压，打开晶体管后，松开按钮释放按钮，开关去掉触摸电压，保持多样。

7.单向晶闸管有三个顶点：阳极A、阴极K、控制极G，而晶体管有许多优点，例如：小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；非常快速的响应，微秒级内部内部内部内部内部内部水平关闭；无触点操作，无火花，无噪音；有效、低成本等。晶体管的弱点：静态和动态过载能力差；很容易受到干扰和误导。水晶管的分类主要从形状上分类：螺栓形、扁平形和平底形。