半导体放电管的工作状态是怎样的？

半导体放电管是利用晶闸管原理制作的过电压保护装置。PN结击穿电流会诱发器件的导通放电，可以流过大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压范围构成了过电压保护的范围。那么半导体放电管的工作状态是怎样的？

半导体放电管的工作状态是怎样的？

包括反向工作状态（k端为正、a端为负）和正向工作状态（a端为正、k端为负）。

1、阻断区：此时器件两端电压低于击穿电压，J1为正向偏压，J2为反向偏压，电流小，起到切断电流的作用。施加电压大部分施加在J2上。

2、雪崩区：当外加电压上升到接近J2结雪崩击穿电压时，反向偏压J2结的空间电荷区宽度扩大，同时结区电场大大增强，倍增效应增强。因此，通过J2结的电流急剧加大，流向器件的电流也加大。这就是电压加大、电流急剧加大的雪崩区域。

3、负阻区：当外加电压大于VBO时，雪崩倍增效应会产生大量电子空穴对。此时，在强电场作用下，这些载流子进入n2区，空穴进入p1区，不能快速复合而单独沉积，使J2空间电荷区变窄。因此，p1区域的电位增加，n2区域的电位降低，这抵消了外部电压。随着J2结中的电场变小，J2结上的外部电压变小，雪崩效应也变小。另外，引起J1和OY3带结直流电压增加，注入增加，通过J2结的电流增加，电流增加，电压降低的负阻现象。

4、低阻通态区：雪崩效应导致J2结两侧积累空穴和电子，J2结反向偏压降低；同时，J1和OY3能带结的注入得到加强，电流增加。其结果，电荷持续蓄积在J2结的两侧，结电压降低。当雪崩倍增完全停止，结电压完全抵消，空穴和电子仍然蓄积在J2结两侧时，J2结变为正偏压。此时，J1、J2、OY3带均为正向偏压，器件可以流过大的电流，因此处于低电阻导通状态区域。完全导通时，其伏安特性曲线与整流元件相似。

固体放电管也称为半导体放电管。使用时，固体放电管可以直接跨越被保护电路的两端。半导体放电管有调制解调器、传真机、PBX系统、电话、POS系统、模拟和数码卡等广泛应用。