半导体放电管的特性是什么？

半导体放电管，也称浪涌控制晶闸管，是用半导体工艺制作的PNPN结四层结构器件。其伏安特性与晶闸管相似，具有典型的开关特性。一般在电路中并联应用。那么，半导体放电管的特性是什么？

半导体放电管的特性是什么？

1、准确的导通击穿电压，反向截止电压范围为6V-600v；

2、快速响应速度：小于1nS。

3、在8/20s的波形下，通量为几百安培；

4、结电容低，电容值从几十皮法到一百皮法以上；

5、漏电流很小，通常为几微安甚至几十分之一微安；

6、有插件、补丁、数组等封装形式。

半导体放电管选型指南是什么？

1、半导体放电管的反向截止电压应大于被保护电路的工作电压，否则不仅影响被保护电路的正常工作，还会影响TSS的使用寿命；

2、瞬时峰值电流IPP要大于通信设备标准的规定值；

3、转折电压应小于被保护电路允许的瞬时峰值电压；

4、当半导体放电管处于导通状态时，损耗的功率应小于其额定功率；

5、如果想让半导体放电管通过大浪涌电流后自行复位，器件的保持电流IH要大于系统所能提供的电流值。

半导体放电管参数注解有哪些？

1、VDRM:反向截止电压，又称关态重复峰值电压，是在关态时刻施加的包括所有DC和重复电压分量的额定瞬时电压；

2、IDRM:反向大漏电流，又称关态重复峰值电流，指施加关态重复峰值电压VDRM产生的峰值关态电流；

3、IH:维持电流，保持晶闸管导通的小电流；

4、VT:通态电压，在规定的通态电流IT条件下器件两端的电压；

5、IT:通态电流，通态条件下流过器件的电流；

6、VS:开关电压，其被定义为在器件被切换到导通状态之前，击穿区域结束时器件两端的瞬时电压；

7、IS:开关电流，开关电压VS条件下流经器件的瞬时电流；

8、VPP:峰值脉冲电压，半导体放电管在给定波形下能通过的大峰值脉冲电压；

9、IPP:峰值脉冲电流，半导体放电管在给定波形下能通过的大峰值脉冲电流；