半导体掺杂浓度越高，两种载流子的浓度是否都越大？

分类:产品知识
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发布时间:2017-09-30
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半导体中的电子和空穴，在热平衡时，它们的浓度保持为一定的常数；但这是一种动态平衡，它们一边复合、又一边产生，在一定的温度下即保持为确定的数值。例如n型半导体，在热平衡情况下，如果再掺入施主使得电子浓度进一步增大，则电子与空穴复合的几率也相应地增大，于是会导致少数载流子——空穴的浓度有明显地降低。因此，半导体的掺杂浓度越高，多数载流子浓度就越大，而少数载流子浓度也就越小。半导体热平衡载流子浓度之间存

半导体掺杂浓度越高，两种载流子的浓度是否都越大？

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半导体掺杂浓度越高，两种载流子的浓度是否都越大？

[Summary]半导体中的电子和空穴，在热平衡时，它们的浓度保持为一定的常数；但这是一种动态平衡，它们一边复合、又一边产生，在一定的温度下即保持为确定的数值。例如n型半导体，在热平衡情况下，如果再掺入施主使得电子浓度进一步增大，则电子与空穴复合的几率也相应地增大，于是会导致少数载流子——空穴的浓度有明显地降低。因此，半导体的掺杂浓度越高，多数载流子浓度就越大，而少数载流子浓度也就越小。半导体热平衡载流子浓度之间存

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半导体中的电子和空穴，在热平衡时，它们的浓度保持为一定的常数；但这是一种动态平衡，它们一边复合、又一边产生，在一定的温度下即保持为确定的数值。

例如n型半导体，在热平衡情况下，如果再掺入施主使得电子浓度进一步增大，则电子与空穴复合的几率也相应地增大，于是会导致少数载流子——空穴的浓度有明显地降低。因此，半导体的掺杂浓度越高，多数载流子浓度就越大，而少数载流子浓度也就越小。半导体热平衡载流子浓度之间存在有一定的关系——热平衡条件：nopo=ni2。在杂质全电离情况下，多数载流子浓度no≈ND（掺杂浓度），则少数载流子浓度po=ni2/no≈ni2/ND。

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