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双向可控硅的特点及应用介绍

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双向可控硅可以看作是一对反向并联的普通可控硅的集成,其工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅有两个主电极T1和T2, 一个门极G, 门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通,所以

双向可控硅的特点及应用介绍

[Summary]双向可控硅可以看作是一对反向并联的普通可控硅的集成,其工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅有两个主电极T1和T2, 一个门极G, 门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通,所以

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  双向可控硅的特点及应用是什么?下面我们大家一起来分析一下。

双向可控硅

  双向可控硅可以看作是一对反向并联的普通可控硅的集成,其工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅有两个主电极T1和T2, 一个门极G, 门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通,所以双向可控硅在1、3象限有对称的伏安特性。双向可控硅门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通,因此有四种触发方式。双向可控硅应用为正常使用双向可控硅,需定量掌握其主要参数,对双向可控硅进行适当选用并采取相应措施以达到各参数的要求。


  耐压等级的选择:通常将VDRM(关态重复峰值电压)和VR  R  M(反向重复峰值电压)中较小的一个值标注为器件的额定电压。选用时,额定电压应为正常工作峰值电压的2~3倍,作为允许的操作过电压裕度。


  电流的确定:由于双向可控硅通常用于交流电路中,其额定电流值用有效值而不是平均值来表示。由于可控硅的过载能力小于一般的电磁器件,所以一般家用电器中使用的可控硅的电流值是实际工作电流值的2~3倍。同时,可控硅在关态重复峰值电压VD  R  M和反向重复峰值电压V  R  R  M下的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。


  通态(峰值)电压VT  M的选择:它是可控硅以规定的倍数额定电流开通时的瞬态峰值压降。为减少可控硅的热损耗,应尽可能选择VT  M小的可控硅。


  保持电流:IH是保持可控硅导通所需的小主电流,它与结温有关,结温越高,IH越小。


  电压上升率电阻:dt是指关断状态下电压的上升斜率,是防止误触发的关键参数,如果该值超过限值,可控硅可能被误导。由于SCR的制造工艺,A2和g之间会有寄生电容。


  双向可控硅的伏安特性是什么?下面我们来了解一下。


  1.反向特性。当栅极打开且反向电压施加于阳极时,J2结正向偏置,但J1、J3结反偏,此时只有很小的反向饱和电流可以流过,当电压进一步增加到J1结的雪崩击穿电压时,接差J3结也击穿,电流迅速增加,特性开始弯曲。


  2.正向特性。当控制电极开路并且直流电压施加到阳极时J1、J3结正偏,但J2结反偏,这类似于普通PN结的反向特性,只有很小的电流可以流过,称为正向阻断状态,当电压增加时,特性曲线弯曲,弯曲处的UBO称为正向翻转电压。当电压上升到J2结的雪崩击穿电压时,J2结发生雪崩倍增效应,结的电压升高,进入N1区的电子与通过J1结从P1区注入N1区的空穴复合。同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合,雪崩击穿,进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉,这样,在N1区就有电子积累,在P2区就有空穴积累,结果使P2区的电位升高,N1区的电位下降,J2结变成正偏,只要电流稍增加,电压便迅速下降,出现所谓负阻特性。这时J1、J2、J3三个结均处于正偏,可控硅便进入正向导电状态---通态,此时,它的特性与普通的PN结正向特性相似。


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