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触发管的结构特点

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触发管的结构特点
触发管的电路图由逻辑门组成,逻辑门的结构由R-S锁存器推导而来(广义触发管包括锁存器)。触发管可以处理输入、输出信号和时钟频率之间的相互作用。由两个与门和一个非门组成的附加电路被添加到R-S闩锁的前面以形成D触发管。

触发管的结构特点

[Summary]触发管的结构特点
触发管的电路图由逻辑门组成,逻辑门的结构由R-S锁存器推导而来(广义触发管包括锁存器)。触发管可以处理输入、输出信号和时钟频率之间的相互作用。由两个与门和一个非门组成的附加电路被添加到R-S闩锁的前面以形成D触发管。

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触发管的结构特点


触发管的电路图由逻辑门组成,逻辑门的结构由R-S锁存器推导而来(广义触发管包括锁存器)。触发管可以处理输入、输出信号和时钟频率之间的相互作用。由两个与门和一个非门组成的附加电路被添加到R-S闩锁的前面以形成D触发管。当时钟脉冲CP为1时,读取输入端D的数据并传输到输出端;CP为0时,根据门“只要一个输入为0,输出为0”的特性,输入D的数据被门屏蔽,无法到达输出端。无论输入D如何变化,Q的输出值都不会改变。只有当下一个CP来临时,当前的D值才会被发送出去。这允许暂时保存延迟的输出。从电路的动作上可以看出,对时钟输入有控制的作用,把CP到1,就可以触发锁扣后面的锁扣D值暂时保存下来,这就是“触发管”在触发管字中的含义,这就是触发管与锁扣的关系和区别:触发管利用了锁扣的保存原理,但结合了触发管的功能,就可以控制所保存的时间。

触发管

 双向触发二极管的结构看起来像一个晶体管。但是两者之间存在着一些差异,主要表现在:在DIAC的所有层的掺杂浓度是相同的,而晶体管有一个高掺杂的发射极,一个轻掺杂的集电极,和一个中等掺杂的基极。晶体管是三端器件,而DIAC是两端器件。DIAC中的三个区域大小相等。


 双向触发二极管可制成三层、四层或五层结构。三层结构比其他结构更常用。三层双向触发二极管可以用PNP或NPN结构构造。在PNP形式中,两个终端连接到由n区隔开的外部硅p区。这种配置与没有基极连接的PNP晶体管相同。只要在双向触发二极管的两端施加正或负的电源电压,只有很小的泄漏电流流过器件。因此,该设备可以在正向或反向阻塞模式下运行。当施加电压增加到等于击穿电压的值时,在反向偏压结处发生雪崩击穿。接着,它开始导电并表现出负阻特性,即电流随着外加电压值的减小而增加。导通过程中的电压降非常小,等于双向触发二极管的通态电压降。当它进入传导模式时,电流迅速增加。因此,为了实现该传导电流在任意方向上的安全运行水平,一个电阻与一个双向触发二极管串联。


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