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单向可控硅特征是什么?

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晶体管是P1N1P2N2的四层三端组件。有三个PN结。分析原理的时候,可以把它看成一个PNP管和一个NPN管。它的同辈,那么单向可控硅特征是什么?

单向可控硅特征是什么?

[Summary]晶体管是P1N1P2N2的四层三端组件。有三个PN结。分析原理的时候,可以把它看成一个PNP管和一个NPN管。它的同辈,那么单向可控硅特征是什么?

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 单向可控硅特征是什么?


晶体管是P1N1P2N2的四层三端组件。有三个PN结。分析原理的时候,可以把它看成一个PNP管和一个NPN管。它的同辈,那么单向可控硅特征是什么?

单向可控硅

单向可控硅特征是什么?


1.单向可控硅甲状腺手机是以硅单晶为基本材料的四镇器件P1N1P2N2。它成立于1957年。由于其特性与真空门相似,国际上通常称之为硅晶体门、晶体管。因为晶体管一开始用于可控整流,所以也叫晶闸管整流元件,简称晶体管的SCR。可控硅是一种大功率半导体器件,它能控制较大的电流和功率,用来进行电机调速、电镀、电解、充电、励磁、恒温、调压、稳压、无触点开关、变频其他人的角色。


2.当阳极A加正电压时,BG1和BG2管被放大。此时,如果从控制极G输入一个正的触发信号,BG2有一个基流IB2流。BG2放大后,其集电极电流IC2=2IB2。因为BG2剧集直接连接到BG1的底座,所以IB1=IC2。此时,电流IC2被BG1放大,因此BG1的集电极电流IC1=1IB1=12IB2。这个电流流回BG2的基极形成正反馈增加IB2。作为反馈循环的结果,两个管的电流增加,并且晶体管可以饱和。


3.反向特性当控制极点时,阳极加上反向电压,J2为正,但J1和J2为负。此时只能流过很小的反向饱和电流。当电压进一步增加到J1结的雪崩击穿时,过渡OY3带结也被击穿,电流迅速增加。如本段所示,弯管的电压URO称为“反向转折电压”。此时,硅可以反转。由于BG1和BG2的正反馈作用,一旦门电路开启,即使极值G的控制电流消失,该晶体管仍能维持功能,因此这种晶体管是不可抗拒的。


4.积极的特征当控制打开时,阳极正电压,J1和OY3带为正,但J2反向,类似于普通PN结的反向特性。电流,这叫正阻断状态。当电压增加时,图3的特性已经弯曲。如果显示特征OA部分,弯曲区域称为UBO,即:正向翻转电压当电压增加到J2雪泊亚击穿后,J2结中出现了雪崩增加效应,结中产生了大量的电子和空穴。


5.单向可控硅电子公司在N1成立,并进入P2地区。进入N1区域的电子通过P1区域的J1区域与N1区域的注射穴位复合。进入P2地区的电子器件和空腔不能再结合。这样,N1地区将聚集电子产品。在P2地区,会有空洞的穴位堆积。因此,P2地区的潜力增加了。它变得积极。只要电流稍有增加,电压就迅速下降,出现了所谓的负阻。3.触发分流当正电压加到控制极G时,JBOY3带偏置。当P2地区的穴位进入N2地区,N2地区的电子进入P2地区,形成触发电流IGT。在晶体管中反馈效应的基础上,加入IGT效应,使晶体管提前,产生了左侧的电压OA段。IGT越大,特征出现得越快。


6.此时,J1、J2和JBOY3带的三个节点处于正偏置,晶体管在状态下进入状态。此时,其特征类似于正常的PN正特征。为了驱动晶体管,一个是在其阳极A和阴极K之间加一个正电压,另一个是在其控制极G和阴极K之间输入一个正的触摸电压,打开晶体管后,松开按钮释放按钮,开关去掉触摸电压,保持多样。


7.单向晶闸管有三个顶点:阳极A、阴极K、控制极G,而晶体管有许多优点,例如:小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;非常快速的响应,微秒级内部内部内部内部内部内部水平关闭;无触点操作,无火花,无噪音;有效、低成本等。晶体管的弱点:静态和动态过载能力差;很容易受到干扰和误导。水晶管的分类主要从形状上分类:螺栓形、扁平形和平底形。


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