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半导体放电管的特性参数是什么?

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半导体放电管(也称为固体放电管)是使用没有由自由电压控制的栅极的晶闸管的PNPN模块。当电压超过关闭状态的峰值电压(或雪崩电压)时,半导体放电将瞬态电压箝位在模块的开关电压(或反转电压)上。当电压持续上升时,由于负电阻效应,半导体放电管变为导通状态。仅当电流小于保持电流时,元件才会复位并返回高阻状态。那么半导体放电管的特性参数是什么?

半导体放电管的特性参数是什么?

[Summary]半导体放电管(也称为固体放电管)是使用没有由自由电压控制的栅极的晶闸管的PNPN模块。当电压超过关闭状态的峰值电压(或雪崩电压)时,半导体放电将瞬态电压箝位在模块的开关电压(或反转电压)上。当电压持续上升时,由于负电阻效应,半导体放电管变为导通状态。仅当电流小于保持电流时,元件才会复位并返回高阻状态。那么半导体放电管的特性参数是什么?

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半导体放电管的特性参数是什么?


半导体放电管(也称为固体放电管)是使用没有由自由电压控制的栅极的晶闸管的PNPN模块。当电压超过关闭状态的峰值电压(或雪崩电压)时,半导体放电将瞬态电压箝位在模块的开关电压(或反转电压)上。当电压持续上升时,由于负电阻效应,半导体放电管变为导通状态。仅当电流小于保持电流时,元件才会复位并返回高阻状态。那么半导体放电管的特性参数是什么?

放电管

半导体放电管的特性参数是什么?


1、断态电压VRM和漏电流IRM:断态电压VRM表示半导体续流扇区不导通的电压,在该电压下漏电流IRM很小。


2、击穿电压VBR:规定的试验电流IR(一般为1mA)流动时的电压。这是表示半导体浪涌保护器开始导通的标识电压。


3、转折电压VBO和转折电流IBO:当电压上升到反相电压VBO时(对应的电流为反相电流IBO),半导体浪涌保护器完全导通,呈现小阻抗,两端电压VT立即降低到低值(通常为5V左右)


4、峰值脉冲电流IPP:半导体浪涌保护器能承受的脉冲电流。


5、维持电流IH:半导体飞轮保护器维持导通电流。当流过的电流小于保持电流IH时,返回截止状态。


6、静态电容C:半导体电涌保护器的电容值。


选择半导体放电管时应该注意的问题是什么?


1.瞬时峰值电流IPP要大于通信设备标准的规定值。例如,FCC Part68A型IPP应大于100A;Bellcore 1089的IPP应该大于25 A。


2.开关电压Vs要小于保护电路允许的瞬时峰值电压。


3.峰值关断状态的电压要大于保护对象电路的工作电压。例如,在pots APP应用中,振铃电压(150V)峰值电压(150*1.41=212.2V)与峰值DC偏置电压(56.6V)之和为268.8V,因此VBR大于268.8V的器件


4.器件的保持电流IH要大于系统能提供的电流值,以便在有较大的浪涌电流流过后半导体放电管自行恢复。也就是说,IH(系统电压/电源阻抗)。


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