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半导体放电管的特性是什么?

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  • 发布时间:2022-07-14
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半导体放电管,也称浪涌抑制晶闸管,是用半导体工艺制作的PNPN结四层结构器件。其伏安特性与晶闸管相似,具有典型的开关特性。一般在电路中并联应用。那么,半导体放电管的特性是什么?

半导体放电管的特性是什么?

[Summary]半导体放电管,也称浪涌抑制晶闸管,是用半导体工艺制作的PNPN结四层结构器件。其伏安特性与晶闸管相似,具有典型的开关特性。一般在电路中并联应用。那么,半导体放电管的特性是什么?

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 半导体放电管的特性是什么?


半导体放电管,也称浪涌控制晶闸管,是用半导体工艺制作的PNPN结四层结构器件。其伏安特性与晶闸管相似,具有典型的开关特性。一般在电路中并联应用。那么,半导体放电管的特性是什么?


半导体放电管的特性是什么?

放电管

1、准确的导通击穿电压,反向截止电压范围为6V-600v;


2、快速响应速度:小于1nS。


3、在8/20s的波形下,通量为几百安培;


4、结电容低,电容值从几十皮法到一百皮法以上;


5、漏电流很小,通常为几微安甚至几十分之一微安;


6、有插件、补丁、数组等封装形式。


半导体放电管选型指南是什么?


1、半导体放电管的反向截止电压应大于被保护电路的工作电压,否则不仅影响被保护电路的正常工作,还会影响TSS的使用寿命;


2、瞬时峰值电流IPP要大于通信设备标准的规定值;


3、转折电压应小于被保护电路允许的瞬时峰值电压;


4、当半导体放电管处于导通状态时,损耗的功率应小于其额定功率;


5、如果想让半导体放电管通过大浪涌电流后自行复位,器件的保持电流IH要大于系统所能提供的电流值。


半导体放电管参数注解有哪些?


1、VDRM:反向截止电压,又称关态重复峰值电压,是在关态时刻施加的包括所有DC和重复电压分量的额定瞬时电压;


2、IDRM:反向大漏电流,又称关态重复峰值电流,指施加关态重复峰值电压VDRM产生的峰值关态电流;


3、IH:维持电流,保持晶闸管导通的小电流;


4、VT:通态电压,在规定的通态电流IT条件下器件两端的电压;


5、IT:通态电流,通态条件下流过器件的电流;


6、VS:开关电压,其被定义为在器件被切换到导通状态之前,击穿区域结束时器件两端的瞬时电压;


7、IS:开关电流,开关电压VS条件下流经器件的瞬时电流;


8、VPP:峰值脉冲电压,半导体放电管在给定波形下能通过的大峰值脉冲电压;


9、IPP:峰值脉冲电流,半导体放电管在给定波形下能通过的大峰值脉冲电流;


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