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  • 半导体掺杂浓度越高,两种载流子的浓度是否都越大?

    半导体中的电子和空穴,在热平衡时,它们的浓度保持为一定的常数;但这是一种动态平衡,它们一边复合、又一边产生,在一定的温度下即保持为确定的数值。例如n型半导体,在热平衡情况下,如果再掺入施主使得电子浓度进一步增大,则电子与空穴复合的几率也相应地增大,于是会导致少数载流子——空穴的浓度有明显地降低。因此,半导体的掺杂浓度越高,多数载流子浓度就越大,而少数载流子浓度也就越小。半导体热平衡载流子浓度之间存

  • 半导体的多数载流子浓度和少数载流子浓度与温度的关系是一样的吗?

    半导体在任何温度下,都将遵从热平衡条件:np=ni2。因此多数载流子与少数载流子是相互制约着的。多数载流子主要来自于掺杂,而少数载流子都来自于本征激发(属于本征载流子)。当通过掺杂、增大多数载流子浓度时,则多数载流子与少数载流子相互复合的机会增加,将使得少数载流子浓度减小;当升高温度,少数载流子浓度将指数式增大,并且它与多数载流子相互复合的机会也增加,仍然维持着热平衡关系。在温度不是很高时,增加的

  • 什么是本征半导体?

    正解:实际上,电阻率很高的半导体,不一定都是本征半导体。首先要搞清楚本征半导体的实质。凡是两种载流子都对导电起同样作用的半导体,就称为本征半导体。因此,平衡电子浓度和平衡空穴浓度相等的半导体,即为本征半导体;从而本征半导体的条件是:no=po=ni。可见,未掺杂的半导体确实是本征半导体,但是掺杂半导体在高温下也可以转变为本征半导体。因为多数载流子主要是由掺杂提供的,则在杂质全电离时,多数载流子浓度

    2017-09-30 04\:49
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